Demo Case Osram Ostar Stage
Deutsche
Version
Anwendungen
Architektur
Stimmungsvolle Beleuchtung
Bühnenbeleuchtung (LED & Laser)
Merkmale
- Gehäuse: kompakte Lichtquelle in Multi-Chip-SMT-Technologie mit Glasfenster auf der Oberseite
- Chip-Technologie: Dünnfilm / ThinGaN
- Typ. Abstrahlung: 120° (Lambertscher Strahler)
- Farbe: Cx = 0,31, Cy = 0,32 nach CIE 1931 (ultraweiß)
- Korrosionsbeständigkeit Klasse: 3B
- ESD: 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)
Ordering Information
| Typ |
Helligkeit |
Bestellnummer |
| LE RTDUW S2W |
|
Q65111A0884 |
| Ultraweiß |
Φ V = 140 ... 224 lm (I F = 700 mA) |
|
Maximale Nennwerte
| Parameter |
Symbol |
|
Werte: ultraweiß |
| Betriebstemperatur |
T op |
min. |
-40 °C |
| Lagertemperatur |
T stg |
min. |
-40 °C |
| Sperrschichttemperatur |
T j |
max. |
125 °C |
| Durchlassstrom T S = 25 °C |
I F |
min. |
100 mA |
| ESD-Festigkeitsspannung nach ANSI/ESDA/ JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2) |
V ESD |
|
2 kV |
| Rückwärtsstrom |
I R |
max. |
200 mA |
Merkmale I F = 700 mA; T S = 25 °C
| Parameter |
Symbol |
|
Werte: ultraweiß |
| Chromatizitätskoordinate |
|
|
0.31 |
| Betrachtungswinkel bei 50% I V |
2φ |
typ. |
120 ° |
| Teillichtstrom gem. CIE 127:2007 |
Φ E/V, 120 |
typ. |
typ. |
| Vorwärtsspannung |
V F |
min. |
2.90 V |
| Sperrspannung (ESD-Gerät) |
V R ESD |
min. |
5 V |
| Rückwärtsspannung |
V R |
max. |
1.2 V |
English version
Applications
Architecture
Mood Lighting
Stage Lighting (LED & Laser)
Features
— Package: compact lightsource in multi chip SMT technology with glass window on top
— Chip technology: Thinfilm / ThinGaN
— Typ. Radiation: 120° (Lambertian emitter)
— Color: Cx = 0.31, Cy = 0.32 acc. to CIE 1931 (ultra white)
— Corrosion Robustness Class: 3B
— ESD: 2 kV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 2)
Ordering Information
| Type |
Brightness |
Ordering Code |
| LE RTDUW S2W |
|
Q65111A0884 |
| ultra white |
Φ V = 140 ... 224 lm (I F = 700 mA) |
|
Maximum Ratings
| Parameter |
Symbol |
|
Values: ultra white |
| Operating Temperature |
T op |
min. |
-40 °C |
| Storage Temperature |
T stg |
min. |
-40 °C |
| Junction Temperature |
T j |
max. |
125 °C |
| Forward Current T S = 25 °C |
I F |
min. |
100 mA |
| ESD withstand voltage acc. to ANSI/ESDA/ JEDEC JS-001 (HBM, Class 2) |
V ESD |
|
2 kV |
| Reverse current |
I R |
max. |
200 mA |
Characteristics I F = 700 mA; T S = 25 °C
| Parameter |
Symbol |
|
Values: ultra white |
| Chromaticity Coordinate |
|
|
0.31 |
| Viewing angle at 50% I V |
2φ |
typ. |
120 ° |
| Partial Flux acc. CIE 127:2007 |
Φ E/V, 120 |
typ. |
typ. |
| Forward Voltage |
V F |
min. |
2.90 V |
| Reverse voltage (ESD device) |
V R ESD |
min. |
5 V |
| Reverse voltage |
V R |
max. |
1.2 V |






