T N-MOSFET 75V 80A 9.0mOhm IRFU3607PBF I-Pak TO-251AA

Technologie:

Si

Montageart:

Through Hole

Verpackung/Gehäuse:

TO-251-3

Transistorpolung:

N-Channel

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:

75 V

Id - Drain-Gleichstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.34 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 20 V, + 20 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:

1.8 V

Qg - Gate-Ladung:

56 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

140 W

Kanalmodus:

Enhancement

Marke:

Infineon / IR

Konfiguration:

Single

Höhe:

6.22 mm

Länge:

6.73 mm

Produkt-Typ:

MOSFET

Transistorart:

1 N-Channel

Breite:

2.38 mm

Gewicht pro Stück:

340 mg